Транзистор кт315 характеристика цоколівка маркування. BC847 аналог вітчизняний - кт315 транзистор. Маркування транзисторів КТ315 та КТ361

03.11.2021

Мабуть, немає якогось більш менш складного електронного пристрою, виробленого в СРСР протягом сімдесятих, вісімдесятих і дев'яностих років, у схемі якого не використовувався б транзистор КТ315. Не втратив популярності він і досі.

У позначенні використана буква К, що означає «кремнієвий», як і більшість напівпровідникових приладів, що виготовляються з тих часів. Цифра "3" означає, що транзистор КТ315 відноситься до групи широкосмугових приладів невеликої потужності.

Пластиковий корпус не передбачав високої потужності, але дешевий.

Випускався транзистор КТ315 у двох варіантах, плоскому (помаранчевий або жовтий) та циліндричному (чорний).

Для того, щоб зручніше було визначати, як його монтувати, на його «лицьовій» стороні в плоскій версії виконано скіс, колектор – у середині, база – ліворуч, колектор – праворуч.

Чорний транзистор мав плоский зріз, якщо розташувати транзистор їм до себе, то емітер виявлявся праворуч, колектор – ліворуч, а база – посередині.

Маркування складалося з літери, залежно від допустимої напруги живлення, від 15 до 60 Вольт. Від літери залежить і потужність, вона може досягати 150 мВт, і це при мікроскопічних на ті часи розмірах – ширина – сім, висота – шість, а товщина – менше трьох міліметрів.

Транзистор КТ315 – високочастотний, цим пояснюється широта його застосування. до 250 мГц гарантує його стійку роботу в радіосхемах приймачів та передавачів, а також підсилювачах діапазону.

Провідність – зворотна, n-p-n. Для пари при використанні двотактної схеми посилення створено КТ361 з прямою провідністю. Зовні ці «близнюки-брати» практично не відрізняються, лише наявність двох чорних рисок вказує на p-n-p провідність. Ще варіант маркування, буква розташована точно посередині корпусу, а не з краю.

За всіх своїх переваг, транзистор КТ315 має і недолік. Його висновки плоскі, тонкі, дуже легко відламуються, тому монтаж слід проводити дуже обережно. Втім, навіть зіпсувавши деталь, багато радіоаматорів примудрялися відремонтувати її, підпиливши трохи корпус, і «присопивши» тяганину, хоча це і важко, та й сенсу особливого не було.

Корпус настільки своєрідний, що вказує на радянське походження КТ315. Аналог йому знайти можна, наприклад, ВС546В або 2N9014 – з імпорту, КТ503, КТ342 або КТ3102 – з наших транзисторів, але рекордна дешевизна позбавляє сенсу такі хитрощі.

Випущено мільярди КТ315, і, хоча в наш час існують мікросхеми, в яких вбудовані десятки і сотні таких напівпровідникових приладів, іноді їх все ж таки використовують для збирання нескладних допоміжних схем.

Кремнієві епітаксійно-планарні n-p-n транзистори типу КТ315 та КТ315-1 (комплементарна їм пара). Призначені для застосування в підсилювачах високої, проміжної та низької частоти, що безпосередньо застосовуються в радіоелектронній апаратурі, що виготовляється для техніки цивільного призначення та для постачання на експорт. Транзистори КТ315 та КТ315-1 випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Транзистор КТ315 виготовляється у корпусі КТ-13. Після КТ315 став випускатися в корпусі КТ-26 (закордонний аналог TO92), транзистори в цьому корпусі отримали додаткову «1» в позначенні, наприклад КТ315Г1. Корпус надійно оберігає кристал транзистора від механічних та хімічних ушкоджень. Транзистори KT315H та КТ315Н1 призначені для застосування у кольоровому телебаченні. Транзистори KT315P та КТ315Р1 призначені для застосування у відеомагнітофоні «Електроніка – ВМ». Транзистори виготовляють у кліматичному виконанні УХЛ та в єдиному виконанні, придатному як для ручного, так і для автоматизованого збирання апаратури.

КТ315 випускався підприємствами: "Електроприлад" м. Фрязіно, "Квазар" м. Київ, "Континент" м. Зеленодольськ, "Кварцит" м. Орджонікідзе, ВО "Елькор" Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, НДІПП м. Томськ, ПЗ «Електроніка» м. Воронеж, 1970 р. їх виробництво також було передано до Польщі на підприємство Unitra CEMI.

В результаті переговорів у 1970 році Воронезьким об'єднанням «Електроніка» у плані співробітництва було передано до Польщі виробництво транзисторів КТ315. Для цього у Воронежі повністю демонтували цех, та у найкоротші терміни разом із запасом матеріалів та комплектуючих переправили, змонтували та запустили його у Варшаві. Цей науково-виробничий центр з електроніки, створений у 1970 році, був виробником напівпровідників у Польщі. Unitra CEMI зрештою збанкрутувала в 1990 році, залишивши польський ринок мікроелектроніки відкритим для іноземних компаній. Сайт музей підприємства Unitra CEMI: http://cemi.cba.pl/ . До кінця існування СРСР загальна кількість випущених транзисторів КТ315 перевищила 7 мільярдів.

Транзистор КТ315 випускається, до сьогодні рядом підприємств: ЗАТ «Кремній» м. Брянськ, СКБ «Елькор» Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, завод НДІПП м. Томськ. Транзистор КТ315-1 випускається: ЗАТ "Кремній" м. Брянськ, завод "Транзистор" Республіка Білорусь м. Мінськ, АТ "Елекс" м. Олександрів Володимирська область.

Приклад позначення транзисторів КТ315 під час замовлення та в конструкторській документації іншої продукції: «Транзистор КТ315А ЖК.365.200 ТУ/05», для транзисторів КТ315-1: «Транзистор КТ315А1 ЖК.365.200 ТУ/02».

Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1 представлені у таблиці 1.

Таблиця 1 – Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1

Тип	Структура	P До max, P К * т. max , мВт	f гр, МГц	U КБО max , U КЕР*max , У	U ЕБО max , У	I До max мА	I КБО, мкА	h 21е, h 21Е*	C До, пФ	r КЕ нас, Ом	r б, Ом	τ до, пс
KT315A1	n-p-n	150	≥250	25	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Б1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315В1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Г1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Д1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Е1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Ж1	n-p-n	100	≥250	15	6	100	≤0,5	30...250 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315І1	n-p-n	100	≥250	60	6	100	≤0,5	30 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Н1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
KT315Р1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	150...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
КТ315А	n-p-n	150 (250*)	≥250	25	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
КТ315Б	n-p-n	150 (250*)	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315В	n-p-n	150 (250*)	≥250	40	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Г	n-p-n	150 (250*)	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Д	n-p-n	150 (250*)	≥250	40* (10к)	6	100	≤0,6	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Е	n-p-n	150 (250*)	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Ж	n-p-n	100	≥250	20* (10к)	6	50	≤0,6	30...250* (10 В; 1 мА)	≤7	≤25	–	≤800
КТ315І	n-p-n	100	≥250	60* (10к)	6	50	≤0,6	≥30* (10 В; 1 мА)	≤7	≤45	–	≤950
КТ315Н	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤5,5	–	≤1000
КТ315Р	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,5	150...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	–	≤500

Примітка:
1. I КБО – зворотний струм колектора – струм через колекторний перехід при заданій зворотній напрузі колектор-база та розімкнутому виведенні емітера, виміряний при U КБ = 10 В;
2. I До max – максимально допустимий постійний струм колектора;
3. U КBO max – пробивна напруга колектор-база при заданому зворотному струмі колектора та розімкнутого ланцюга емітера;
4. U ЕБO max – пробивна напруга емітер-база при заданому зворотному струмі емітера та розімкнутого ланцюга колектора;
5. U КЕР max – пробивна напруга колектор-емітер при заданому струмі колектора та заданому (кінцевому) опорі в ланцюзі база-емітер;
6. Р К.т max – постійна розсіювана потужність колектора з тепловідведенням;
7. P До max – максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється;
8. r б - опір бази;
9. r КЕ нас – опір насичення між колектором та емітером;
10. C К - ємність колекторного переходу, виміряна при U К = 10 В;
11. f гp - гранична частота коефіцієнта передачі струму транзистора для схеми загальним емітером;
12. h 2lэ – коефіцієнт зворотний зв'язок по напрузі транзистора як мало сигналу для схем із загальним емітером і загальною базою відповідно;
13. h 2lЕ – для схеми із загальним емітером у режимі великого сигналу;
14. τ до - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті.

Габарити транзистора КТ315

Тип корпусу транзистора КТ-13 Маса одного транзистора не більше 0,2 г. Величина сили, що розтягує 5 Н (0,5 кгс). Мінімальна відстань місця вигину виведення від корпусу – 1 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння 1 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори повинні витримувати вплив тепла, що виникає за температури паяння (260 ± 5) °С протягом 4 секунд. Висновки повинні зберігати паяність протягом 12 місяців з дати виготовлення за дотримання режимів та правил виконання паяння, зазначених у розділі «Вказівки щодо експлуатації». Транзистори стійкі до дії спирто-бензинової суміші (1:1). Транзистори КТ315 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315 наведено малюнку 1.

Малюнок 1 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315

Габарити транзистора КТ315-1

Тип корпусу транзистора КТ-26 Маса одного транзистора трохи більше 0,3 р. Мінімальна відстань місця вигину виведення корпусу – 2 мм (на малюнку позначено як L1). Температура паяння (235 ± 5) °С, відстань від корпусу до місця паяння не менше 2 мм, тривалість паяння (2 ± 0,5) пн. Транзистори КТ315-1 пожежобезпечні. Габаритні розміри транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2.

Малюнок 2 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315-1

Цоколівка транзисторів

Якщо розташувати транзистор КТ315 маркуванням від себе (як показано малюнку 1) висновками вниз, то лівий висновок це основа, центральний – колектор, а правий – емітер.

Якщо розташувати транзистор КТ315-1 навпаки маркуванням себе (як показано малюнку 2) висновками також вниз, то лівий висновок це емітер, центральний – колектор, а правий – база.

Маркування транзисторів

Транзистор КТ315. Тип транзистора вказується в етикетці, і навіть на корпусі приладу як букви вказувалася група. На корпусі вказується повна назва транзистора або лише літера, яка зсунута до лівого краю корпусу. Товарний знак заводу може не вказуватись. Дата випуску ставиться у цифровому або кодованому позначенні (при цьому можуть вказувати лише рік випуску). Крапка у складі маркування транзистора свідчить про його застосування – у складі кольорового телебачення. А старі (вироблені до 1971 року) транзистори КТ315 маркувалися літерою, що стоїть посередині корпусу. При цьому перші випуски маркувалися лише однією великою літерою, а приблизно 1971 року перейшли на звичну дворядкову. Приклад маркування транзистора КТ315 показаний малюнку 1. Слід зазначити, що транзистор КТ315 був першим масовим транзистором з кодовою маркуванням в мініатюрному пластмасовому корпусі КТ-13. Переважна більшість транзистори КТ315 і КТ361 (характеристики такі ж, як у КТ315, а провідність p-n-p) було випущено в корпусах жовтого або червоно-жовтогарячого кольорів, значно рідше можна зустріти транзистори рожевого, зеленого і чорного кольорів. У маркування транзисторів призначених для продажу крім літери, що позначає групу, товарного знаку заводу та дати виготовлення входила і роздрібна ціна, наприклад, «ц20к», що означало ціна 20 копійок.

Транзистор КТ315-1. Тип транзистори також вказується в етикетці, а на корпусі вказується повна назва транзистора, а також транзистори можуть маркуватися кодовим знаком. Приклад маркування транзистора КТ315-1 наведено малюнку 2. Маркування транзистора кодовим знаком наведено у таблиці 2.

Таблиця 2 - Маркування транзистора КТ315-1 кодовим знаком

Тип транзистора	Маркувальна мітка на зрізі бічній поверхні корпусу	Маркувальна мітка на торці корпусу
KT315A1	Трикутник зеленого кольору	Крапка червоного кольору
KT315Б1	Трикутник зеленого кольору	Точка жовтого кольору
KT315В1	Трикутник зеленого кольору	Крапка зеленого кольору
KT315Г1	Трикутник зеленого кольору	Крапка блакитного кольору
KT315Д1	Трикутник зеленого кольору	Точка синього кольору
KT315Е1	Трикутник зеленого кольору	Крапка білого кольору
KT315Ж1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки червоного кольору
KT315І1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки жовтого кольору
KT315Н1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки зеленого кольору
KT315Р1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки блакитного кольору

Вказівки щодо застосування та експлуатації транзисторів

Основне призначення транзисторів – робота у підсилювальних каскадах та інших схемах радіоелектронної апаратури. Допускається застосування транзисторів, виготовлених у звичайному кліматичному виконанні в апаратурі, призначеній для експлуатації у всіх кліматичних умовах, при покритті транзисторів безпосередньо в апаратурі лаками (3-4 шари) типу УР-231 за ТУ 6-21-14 або ЕП-730 по ГОСТ 20824 з наступним сушінням. Допустиме значення статичного потенціалу 500 В. Мінімально допустима відстань від корпусу до місця лудіння та паяння (по довжині виведення) 1 мм для транзистора КТ315 та 2 мм для транзистора КТ315-1. Кількість допустимих перепайок висновків під час проведення монтажних (складальних) операцій – одна.

Зовнішні фактори, що впливають

Механічні впливи групи 2 таблиця 1 в ГОСТ 11630, зокрема:
– синусоїдальна вібрація;
- Діапазон частот 1-2000 Гц;
- Амплітуда прискорення 100 м / с 2 (10g);
- Лінійне прискорення 1000 м/с 2 (100g).

Кліматичні дії – за ГОСТ 11630, у тому числі: підвищена робоча температура середовища 100 °С; знижена робоча температура середовища мінус 60 ° С; зміна температури середовища мінус 60 до 100 °С. Для транзисторів КТ315-1 зміна температури середовища мінус 45 до 100 °С

Надійність транзисторів

Інтенсивність відмов транзисторів протягом напрацювання понад 3×10 -7 1/год. Напрацювання транзисторів t н = 50 000 годин. 98-відсотковий термін зберігання транзисторів 12 років. Упаковка має забезпечувати захист транзисторів від зарядів статичної електрики.

Закордонні аналоги транзистора КТ315

Закордонні аналоги транзистора КТ315 наведені у таблиці 3. Технічну інформацію (datasheet) на зарубіжні аналоги транзистора КТ315 також можна завантажити у таблиці нижче. Наведені нижче ціни відповідають станом на 08.2018 року.

Таблиця 3 – Закордонні аналоги транзистора КТ315

Вітчизняний транзистор	Можливість купити	Підприємство виробник	Країна виробник
КТ315А	ні	Unitra CEMI	Польща
КТ315Б	ні	Unitra CEMI	Польща
КТ315В	ні	Unitra CEMI	Польща
КТ315Г	ні	Unitra CEMI	Польща
КТ315Д	є	Hitachi	Японія
КТ315Е	є ~ 4$	Central Semiconductor	США
КТ315Ж	є ~ 9 $	Sprague electric corp.	США
КТ315Ж	є	ITT Intermetall GmbH	Німеччина
КТ315І	є ~ 16 $	New Jersey Semiconductor	США
КТ315І	є	Sony	Японія
КТ315Н	є ~ 1$	Sony	Японія
КТ315Р	ні	Unitra CEMI	Польща

Закордонним зразком транзистори КТ315-1 є транзистори 2SC544, 2SC545, 2SC546 підприємство виробник Sanyo Electric, країна виробництва Японія. Транзистори 2SC545, 2SC546 можна також придбати, орієнтовна ціна становить близько 6$.

Основні технічні характеристики

Основні електричні параметри транзисторів КТ315 при прийманні та поставці наведені в таблиці 4. Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора наведені в таблиці 5. Вольт-амперні характеристики транзисторів КТ315 наведені на малюнках 3 – 8. Залежності електричних параметрів транзисторів малюнки 9 – 19.

Таблиця 4 – Електричні параметри транзисторів КТ315 під час приймання та постачання

Найменування параметра (режим виміру) одиниці виміру	Літерне позначення	Норма параметра		Температура, °С
		не менше	не більше
Гранична напруга (IC = 10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315І КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	U (CEO)	15 30 25	–	25
(IC = 20 мA, I B = 2 мА), КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315І	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Напруга насичення колектор-емітер (IC = 70 мA, I B = 3,5 мА), В КТ315Н	U CEsat	–	0,4
Напруга насичення база-емітер (IC = 20 мА, I B = 2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315І	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КГ315І	I CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Зворотний струм колектора (U CB =10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е	I CBO	–	10 15	100
Зворотний струм емітера (U EB =5 В) мкА КТ315А - КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315І КТ315Р	I EBO	–	30 50 3	25
, (R BE = 10 ком U CE = 25 В), мА, KT3I5A (R BE = 10 ком U CE = 20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА КТ315В (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Г (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА, КТ315Д (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Е	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005	25
Зворотний струм колектор-емітер (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Р	I CER	–	0,01	100
Зворотний струм колектор-емітер (U CE = 20 В), мА, КТ315Ж (U CE = 60 В), мА, КТ315І	I CES	–	0,01 0,1	25, -60
Зворотний струм колектор-емітер (U CE = 20 В), мА, KT3I5Ж (U CE = 60 В), мА, KT3I5І	I CES	–	0,1 0,2	100
Статичний коефіцієнт передачі струму (U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Статичний коефіцієнт передачі струму (U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Статичний коефіцієнт передачі струму (U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Модуль коефіцієнта передачі струму на високій частоті (U CB = 10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц)	\|h 21E \|	2,5	–	25
Ємність колекторного переходу (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ	C C	–	7	25

Таблиця 5 - Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора КТ315

Параметр, одиниця виміру	Позначення	Норма параметра
		КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315І	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер, (R BE = 10 кОм), В 1)	U CERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер при короткому замиканні в ланцюгу емітер-база, 1)	U CES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустима постійна напруга колектор-база, 1)	U CB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустима постійна напруга емітер-база, 1)	U EB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимий постійний струм колектора, ма 1)	I C max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, мВт 2)	P C max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустима температура переходу, ⁰С	t j max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

Примітка:
1. Для всього діапазону робочих температур.
2. При t атв від мінус 60 до 25 °С. При підвищенні температури більше 25 ° С P C max розраховується за формулою:

де R t hjα - загальний тепловий опір перехід-довкілля, що дорівнює 0,5 ° С/мВт.

Рисунок 3 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р

Рисунок 4 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р
при U CE = 0, t атв = (25±10) °С

Малюнок 5 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І
при t атв = (25±10) °С

Малюнок 6 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
при t атв = (25±10) °С

Рисунок 7 – Типові вихідні характеристики
транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С

Рисунок 8 – Типові вихідні характеристики
транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С

Рисунок 9 – Залежність напруги насичення колектор-емітер від постійного струму колектора для транзисторів типу КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р при IC/I B = 10,
t атв = (25±10) °С

Рисунок 10 – Залежність напруги насичення база-емітер від постійного струму колектора для транзисторів типу КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р при IC/I B = 10, t ат = (25±10) °С

Рисунок 11 - Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзисторів КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І при U CB = 10,
t атв = (25±10) °С

Рисунок 12 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзисторів КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н при UCB = 10,
t атв = (25±10) °С

Рисунок 13 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзистора КТ315Ж при U CB = 10, t атв = (25±10) °С

Рисунок 14 – Залежність статичного коефіцієнта передачі струму від постійного струму емітера для транзистора КТ315Р при U CB = 10, t атв = (25±10) °С

Рисунок 15 – Залежність модуля коефіцієнта передачі струму за високою частотою від постійного струму емітера при U CB = 10, f = 100 МГц, t атв = (25±10) °С

Рисунок 16 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від напруги колектор-база при IE = 5 мА, t ат = (25±10) °С для КТ315А

Рисунок 17 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від напруги колектор-база при IE = 5 мА, t атв = (25±10) °С для КТ315Е, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р

Рисунок 18 – Залежність постійного часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті від струму емітера при U CB = 10 В, f = 5 МГц, t атв = (25±10) °С для
КТ315А

Позначення транзистора КТ315Б на схемах

На важливих схемах транзистор позначається як буквеним кодом, і умовним графічним. Літерний код складається з латинських літер VT та цифри (порядкового номера на схемі). Умовне графічне позначення транзистора КТ315Б зазвичай поміщають у гурток, що символізує його корпус. Коротка рисочка з лінією від середини символізує базу, дві похилі лінії, проведені до країв під кутом 60°, - емітер і колектор. Емітер має стрілку, спрямовану від бази.

Характеристики транзистора КТ315Б

Структура n-p-n
Максимально допустима (імпульсна) напруга колектор-база 20 В
Максимально допустима (імпульсна) напруга колектор-емітер 20 В
Максимально допустимий постійний (імпульсний) струм колектора 100 мА
Максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, без тепловідведення (з тепловідведенням) 0.15 Вт
Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора у схемі із загальним емітером 50-350
Зворотний струм колектора
Гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі із загальним емітером => 250 МГц

Аналоги транзистора КТ315Б

Транзистори серій КТ315 та КТ 361

Серія цих крем'яних транзисторів дуже популярна, починаючи з минулого століття і досі. Поміж іншого, у них дуже зручний корпус і висновки для поверхневого монтажу. Ці транзистори дуже потоваришували з мікроконтролерами і часто використовуються як буферні каскади між МК та периферією. Доступність і ціна цієї серії радують будь-якого радіоаматора, можна брати одразу відерами. Функції у радіосхемах цих транзисторів дуже різноманітні. Висока гранична частота дозволяє робити на них генератори до УКХ діапазону. У малопотужних звукових підсилювачах вони добре себе зарекомендували. Колір корпусу транзисторів може бути жовтий, зелений, червоний, інші мені не траплялися.

Тепер трохи докладніше про корпуси:
Як відрізнити КТ315 від КТ361? Як видно на корпусі, варто лише маркування останньої літери серії.
Тут є кілька способів: Перше це необхідно запам'ятати, що основа в цій серії справа, а емітер зліва.

Транзистор КТ315Б

Якщо ви дивитесь на транзистор логотип і його ноги дивляться вниз. Тут найпростіше це вставити транзистор в мультиметр, де є перевірка транзисторів. 315 серія це n-p-n кристал, 361 серія p-n-p кристал.

Другий варіант це виміряти провідність переходів мультиметром (база-емітер, база-колектор).
КТ315 будуть телефонувати переходи з плюсом на базі, КТ361 з мінусом на базі.

Ну і останнє, це як я їх відрізняю: Все дуже просто у КТ315 буква логотипу зліва, а у КТ361 вона посередині.
Добре, пробіжимося електричними параметрами даних виробів вітчизняної електроніки.
Потужність - 150 мВт
Гранична частота - 100 МГц
Струм колектора-100 мА
Посилення - 20 - 250 (залежить від літери та розкиду параметрів при виготовленні)
У реалії транзистори однієї партії з логотипом «Е» показали розкид посилення від 57 до 186 для кт361 і 106 — 208 для кт 315.
Напруга колектор-емітер - 25в (а, б), 35в (в, г, д, е), 60в (ж, і).
Перевірити транзистори на справність нескладно. Тим же мультиметром на режимі продзвінка перевіряємо опір між емітером і колектором. В обидві сторони має бути обрив. Потім дзвонимо переходи від бази на емітер та від бази на колектор. При справному транзисторі обидва переходи (з урахуванням своєї полярності) мають показати приблизно однакові показники близько 500-600 Ом.

Довідка про аналоги високочастотного біполярного npn транзистора BC847C.

Ця сторінка містить інформацію про аналоги біполярного високочастотного npn транзистора BC847C.

Перед заміною транзистора на аналогічний, !ОБОВ'ЯЗКОВО! порівняйте параметри оригінального транзистора та запропонованого на сторінці аналога. Рішення про заміну приймайте після порівняння характеристик з урахуванням конкретної схеми застосування та режиму роботи приладу.

Можна спробувати замінити транзистор BC847C
транзистором 2N2222;
транзистором BC547C;
транзистором
транзистором FMMTA06;
транзистором

Колективний розум.

Додано користувачами:

дата запису: 2016-05-31 01:30:30

Додати аналог транзистора BC847C.

Ви знаєте аналог чи комплементарну парутранзистор BC847C?

КТ315: аналоги у світі

Додати. Поля, що позначені зірочкою, є обов'язковими для заповнення.

Зміст довідника транзисторів

Параметри польових транзисторів n-канальних.
Параметри польових транзисторів p-канальних.
Додати опис польового транзистора.

Параметри транзисторів низькочастотних біполярних npn.
Параметри транзисторів низькочастотних біполярних pnp.
Параметри транзисторів високочастотних біполярних npn.
Параметри транзисторів високочастотних біполярних pnp.
Параметри транзисторів біполярних надвисокочастотних npn.
Параметри транзисторів біполярних надвисокочастотних pnp.
Додати опис біполярного транзистора.

Параметри біполярних транзисторів із ізольованим затвором (БТІЗ, IGBT).
Додати опис біполярного транзистора із ізольованим затвором.

Пошук транзистора з маркування.
Пошук біполярного транзистора за основними параметрами.
Пошук польового транзистора за основними параметрами.
Пошук БТІЗ (IGBT) за основними параметрами.

Типорозміри корпусів транзисторів.
Магазини електронні компоненти.

Є надія, що довідник транзисторів виявиться корисним досвідченим і початківцям радіоаматорам, конструкторам та учням. Всім тим, хто так чи інакше стикається з необхідністю дізнатися більше про параметри транзисторів. Детальнішу інформацію про всі можливості цього інтернет-довідника можна прочитати на сторінці «Про сайт».
Якщо Ви помітили помилку, величезне прохання написати листа.
Дякую за терпіння та співпрацю.

Транзистори КТ817А, КТ817Б, КТ817В, КТ817Г.

Транзистори КТ817, - Кремнієві, універсальні, потужні низькочастотні, структури - n-p-n.
Призначені для застосування в підсилювачах низької частоти, перетворювачах та імпульсних схемах.
Корпус пластмасовий, із гнучкими висновками.
Маса — близько 0,7 г. Маркування буквено — цифрове, на бічній поверхні корпусу, може бути двох типів.

Кодоване чотиризначне маркування в один рядок і некодоване — в два. Перший знак кодованого маркування КТ817 цифра 7, другий знак — буква, що означає клас. Два наступні знаки означають місяць і рік випуску. У некодованому маркуванні місяць і рік вказані у верхньому рядку. На малюнку нижче - цоколівка та маркування КТ817.

Найважливіші параметри.

Коефіцієнт передачі струмуу транзисторів КТ817А, КТ817Б, КТ817В 20 .
У транзистора КТ817Г - 15 .

Гранична частота коефіцієнта передачі струму — 3 МГц.

Максимальна напруга колектор – емітер.У транзистора КТ817А - 25 в.
У транзисторів КТ817Б - 45 в.
У транзистора КТ817В - 60 в.
У транзистора КТ817Г - 80 в.

Максимальний струм колектора. — 3 А. Потужність колектора, що розсіюється.— 1 Вт, без тепловідведення, 25 Вт - з тепловідведенням.

Напруга насичення база-емітер 1,5 в.

Напруга насичення колектор-емітерпри струмі колектора 3А, а бази 0,3А - не більше 0,6 в.

Зворотний струм колекторау транзисторів КТ817А при напрузі колектор-база 25 в, транзисторів КТ817Б при напрузі колектор-база 45 в, транзисторів КТ817В при напрузі колектор-база 60 в, транзисторів КТ817Г при напрузі колектор-база 100 в - 100 мкА.

Ємність колекторного переходупри напрузі колектор-база 10 в, на частоті 1МГц - не більше 60 пФ.

Місткість емітерного переходупри напрузі емітер-база 0,5 - 115 пФ.

Компліментарний(аналогічний за параметрами, але протилежної провідності) транзистор - КТ816.

Закордонні аналоги транзисторів КТ817.

КТ817А - TIP31A
КТ817Б - TIP31B
КТ817В - TIP31C
КТ817Г - 2N5192.

Транзистори – купити… або знайти безкоштовно.

Де зараз можна знайти радянські транзистори?
В основному тут два варіанти — або купити, або отримати безкоштовно, в ході розбирання старого електронного мотлоху.

Під час промислового колапсу початку 90-х утворилися досить значні запаси деяких електронних комплектуючих. Крім того, повністю виробництво вітчизняних електронних ніколи не припинялося і не припиняється досі. Це і пояснює той факт, що дуже багато деталей минулої епохи, все-таки можна купити. Якщо ж ні — завжди є сучасні імпортні аналоги. Де і як найпростіше купити транзистори? Якщо вийшло так, що поблизу вас немає спеціалізованого магазину, то можна спробувати придбати необхідні деталі, замовивши їх поштою. Зробити це можна зайшовши на сайт-магазин, наприклад - "Гулівер".

Якщо ж у вас, є якась стара, непотрібна техніка - зламані телевізори, магнітофони, приймачі та інше.

Навігація за записами

т. д - можна спробувати видобути транзистори (та інші деталі) із нього.
Найпростіше ситуація з КТ315. У будь-якій промисловій та побутовій апаратурі і з середини 70-х років ХХ століття і закінчуючи початком 90-х його можна зустріти практично повсюдно.
КТ3102 можна знайти в попередніх каскадах підсилювачів магнітофонів - "Електроніка", "Вега", "Маяк", "Вільма" і. т.д.
КТ817 - у стабілізаторах блоків живлення тих же магнітофонів, іноді в кінцевих каскадах підсилювачів звуку (у магнітолах Вега РМ-238С, РМ338С і т.п)

На головну сторінку

15.04.2018

Кремнієві епітаксійно-планарні n-p-n транзистори типу КТ315 та КТ315-1. Призначені для застосування в підсилювачах високої, проміжної та низької частоти, що безпосередньо застосовуються в радіоелектронній апаратурі, що виготовляється для техніки цивільного призначення та для постачання на експорт. Транзистори КТ315 та КТ315-1 випускаються у пластмасовому корпусі з гнучкими висновками. Транзистор КТ315 виготовляється у корпусі КТ-13. Після КТ315 став випускатися в корпусі КТ-26 (закордонний аналог TO92), транзистори в цьому корпусі отримали додаткову «1» в позначенні, наприклад КТ315Г1. Корпус надійно оберігає кристал транзистора від механічних та хімічних ушкоджень. Транзистори KT3I5H та КТ315Н1 призначені для застосування у кольоровому телебаченні. Транзистори KT315P та КТ315Р1 призначені для застосування у відеомагнітофоні «Електроніка – ВМ». Транзистори виготовляють у кліматичному виконанні УХЛ та в єдиному виконанні, придатному як для ручного, так і для автоматизованого збирання апаратури.

Транзистор КТ315 випускався підприємствами: "Електроприлад" м. Фрязіно, "Квазар" м. Київ, "Континент" м. Зеленодольськ, "Кварцит" м. Орджонікідзе, ВО "Елькор" Республіка Кабардино-Балкарія м. Нальчик, НДІВП м. Том ВО «Електроніка» м. Воронеж, 1970 р. їх виробництво також було передано до Польщі на підприємство Unitra CEMI.

Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1 представлені у таблиці 1.

Таблиця 1 – Короткі технічні характеристики транзисторів КТ315 та КТ315-1

Тип	Структура	P До max, P К * т. max , мВт	f гр, МГц	U КБО max , U КЕР*max , У	U ЕБО max , У	I До max мА	I КБО, мкА	h 21е, h 21Е*	C До, пФ	r КЕ нас, Ом	r б, Ом	τ до, пс
KT315A1	n-p-n	150	≥250	25	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Б1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315В1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Г1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Д1	n-p-n	150	≥250	40	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Е1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Ж1	n-p-n	100	≥250	15	6	100	≤0,5	30...250 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315І1	n-p-n	100	≥250	60	6	100	≤0,5	30 (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
KT315Н1	n-p-n	150	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
KT315Р1	n-p-n	150	≥250	35	6	100	≤0,5	150...350 (10 В; 1 мА)	≤7	–	–	–
КТ315А	n-p-n	150 (250*)	≥250	25	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤300
КТ315Б	n-p-n	150 (250*)	≥250	20	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315В	n-p-n	150 (250*)	≥250	40	6	100	≤0,5	30...120* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Г	n-p-n	150 (250*)	≥250	35	6	100	≤0,5	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	≤40	≤500
КТ315Д	n-p-n	150 (250*)	≥250	40* (10к)	6	100	≤0,6	20...90 (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Е	n-p-n	150 (250*)	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤30	≤40	≤1000
КТ315Ж	n-p-n	100	≥250	20* (10к)	6	50	≤0,6	30...250* (10 В; 1 мА)	≤7	≤25	–	≤800
КТ315І	n-p-n	100	≥250	60* (10к)	6	50	≤0,6	≥30* (10 В; 1 мА)	≤7	≤45	–	≤950
КТ315Н	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,6	50...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤5,5	–	≤1000
КТ315Р	n-p-n	150	≥250	35* (10к)	6	100	≤0,5	150...350* (10 В; 1 мА)	≤7	≤20	–	≤500

Габарити транзистора КТ315

Малюнок 1 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315

Габарити транзистора КТ315-1

Малюнок 2 – Маркування, цоколівка та габаритні розміри транзистора КТ315-1

Цоколівка транзисторів

Маркування транзисторів

Таблиця 2 - Маркування транзистора КТ315-1 кодовим знаком

Тип транзистора	Маркувальна мітка на зрізі бічній поверхні корпусу	Маркувальна мітка на торці корпусу
KT315A1	Трикутник зеленого кольору	Крапка червоного кольору
KT315Б1	Трикутник зеленого кольору	Точка жовтого кольору
KT315В1	Трикутник зеленого кольору	Крапка зеленого кольору
KT315Г1	Трикутник зеленого кольору	Крапка блакитного кольору
KT315Д1	Трикутник зеленого кольору	Точка синього кольору
KT315Е1	Трикутник зеленого кольору	Крапка білого кольору
KT315Ж1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки червоного кольору
KT315І1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки жовтого кольору
KT315Н1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки зеленого кольору
KT315Р1	Трикутник зеленого кольору	Дві точки блакитного кольору

Вказівки щодо застосування та експлуатації транзисторів

Зовнішні фактори, що впливають

Надійність транзисторів

Закордонні аналоги транзистора КТ315

Зарубіжні аналоги транзистора КТ315 наведено у таблиці 3.

Таблиця 3 – Закордонні аналоги транзистора КТ315

Вітчизняний транзистор	Зарубіжний аналог	Підприємство виробник	Країна виробник
КТ315А	BFP719	Unitra CEMI	Польща
КТ315Б	BFP720	Unitra CEMI	Польща
КТ315В	BFP721	Unitra CEMI	Польща
КТ315Г	BFP722	Unitra CEMI	Польща
КТ315Д	2SC641	Hitachi	Японія
КТ315Е	2N3397	Central Semiconductor	США
КТ315Ж	2N2711	Sprague electric corp.	США
КТ315Ж	BFY37, BFY37i	ITT Intermetall GmbH	Німеччина
КТ315І	2SC634	New Jersey Semiconductor	США
КТ315І	2SC634	Sony	Японія
КТ315Н	2SC633	Sony	Японія
КТ315Р	BFP722	Unitra CEMI	Польща

Закордонним зразком транзистори КТ315-1 є транзистори 2SC544, 2SC545, 2SC546 підприємство виробник Sanyo Electric, країна виробництва Японія.

Основні технічні характеристики

Таблиця 4 – Електричні параметри транзисторів КТ315 під час приймання та постачання

Найменування параметра (режим виміру) одиниці виміру	Літерне позначення	Норма параметра		Температура, °С
		не менше	не більше
Гранична напруга (IC = 10 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж, КТ315Н КТ315В, КТ315Д, КТ315І КТ315Г, КТ315Е, КТ315Р	U (CEO)	15 30 25	–	25
(IC = 20 мA, I B = 2 мА), КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315І	U CEsat	–	0,4 0,6 0,5 0,9
Напруга насичення колектор-емітер (IC = 70 мA, I B = 3,5 мА), В КТ315Н	U CEsat	–	0,4
Напруга насичення база-емітер (IC = 20 мА, I B = 2 мА), В КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТЗ I5P КТ315Д, КТ315Е КТ315Ж КТ315І	U BEsat	–	1,0 1,1 0,9 1,35
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КГ315І	I CBO	–	0,5 0,6	25, -60
Зворотний струм колектора (U CB =10 В), мкА КТ3I5A КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Н, КТ315Р КТ315Д, КТ315Е	I CBO	–	10 15	100
Зворотний струм емітера (U EB =5 В) мкА КТ315А - КГ315Е, КТ315Ж, ХТ315Н КТ315І КТ315Р	I EBO	–	30 50 3	25
, (R BE = 10 ком U CE = 25 В), мА, KT3I5A (R BE = 10 ком U CE = 20 В), мА, КТ315Б, КТ315Н (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА КТ315В (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Г (R BE = 10 ком U CE = 40 В), мА, КТ315Д (R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Е	I CER	–	0,6 0,6 0,6 0,6 1,0 1,0 0,005	25
(R BE = 10 ком U CE = 35 В), мА, КТ315Р	I CER	–	0,01	100
Зворотний струм колектор-емітер (U CE = 20 В), мА, КТ315Ж (U CE = 60 В), мА, КТ315І	I CES	–	0,01 0,1	25, -60
Зворотний струм колектор-емітер (U CE = 20 В), мА, KT3I5Ж (U CE = 60 В), мА, KT3I5І	I CES	–	0,1 0,2	100
(U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	120 350 90 250 – 350	25
Статичний коефіцієнт передачі струму (U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	30 50 20 30 30 150	250 700 250 400 – 700	100
Статичний коефіцієнт передачі струму (U CB = 10 В, IE = 1 мА) КТ315А, KT3I5B КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н КТ315Д КТ315Ж КТ315І КТ315Р	h 21E	5 15 5 5 5 70	120 350 90 250 – 350	-60
Модуль коефіцієнта передачі струму на високій частоті (U CB = 10 В, IE = 5 мА, f = 100 МГц)	\|h 21E \|	2,5	–	25
Ємність колекторного переходу (UCB = 10 В, f = 10 МГц), пФ	C C	–	7	25

Таблиця 5 - Гранично-допустимі режими експлуатації транзистора КТ315

Параметр, одиниця виміру	Позначення	Норма параметра
		КГ315А	КГ315Б	КГ315В	КГ315Г	КТЗ15Д	КГ315Е	КГ315Ж	КГ315І	КТ315Н	КТ315Р
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер, (R BE = 10 кОм), В 1)	U CERmax	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустима постійна напруга колектор-емітер при короткому замиканні в ланцюгу емітер-база, 1)	U CES max	–	–	–	–	–	–	20	60	–	–
Макс. допустима постійна напруга колектор-база, 1)	U CB max	25	20	40	35	40	35	–	–	20	35
Макс. допустима постійна напруга емітер-база, 1)	U EB max	6	6	6	6	6	6	6	6	6	6
Макс. допустимий постійний струм колектора, ма 1)	I C max	100	100	100	100	100	100	100	100	100	100
Макс. допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, мВт 2)	P C max	200	200	200	200	200	200	200	200	200	200
Макс. допустима температура переходу, ⁰С	t j max	125	125	125	125	125	125	125	125	125	125

де R t hjα - загальний тепловий опір перехід-довкілля, що дорівнює 0,5 ° С/мВт.

Рисунок 3 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р

Рисунок 4 – Типова вхідна характеристика транзисторів КТ315А – КТ315І, КТ315Н, КТ315Р
при U CE = 0, t атв = (25±10) °С

Малюнок 5 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315А, КТ315В, КТ315Д, КТ315І
при t атв = (25±10) °С

Малюнок 6 – Типові вихідні характеристики транзисторів типу КТ315Б, КТ315Г, КТ315Е, КТ315Н
при t атв = (25±10) °С

Рисунок 7 – Типові вихідні характеристики
транзистора КТ315Ж при t атв = (25±10) °С

Рисунок 8 – Типові вихідні характеристики
транзистора КТ315Р при t атв = (25±10) °С

Це справжня легенда у світі радіоелектроніки! Транзистор КТ315 був розроблений у Радянському Союзі та десятиліттями утримував пальму першості серед подібних технологій. Чому він заслужив на таке визнання?

Транзистор КТ315

Що можна сказати про цю легенду? КТ315 є високочастотним кремнієвим біполярним транзистором малої потужності. У нього n-р-n-провідність. Виготовляється він у корпусі КТ-13. Завдяки своїй універсальності набув найширшого поширення в радіоелектронній апаратурі радянського виробництва. Який є аналог транзистора КТ315? Їх досить багато: BC847B, BFP722, 2SC634, 2SC641, 2SC380, 2SC388, BC546, КТ3102.

Розробка

Вперше ідея про створення такого пристрою у радянських вчених та інженерів виникла 1966 року. Оскільки він створювався, щоб у подальшому втілити його в масове виробництво, то розробка і самого транзистора, і обладнання для його виготовлення було доручено Науково-дослідному інституту «Пульсар», напівпровідниковому Фрязінському заводу та ОКБ, розміщеному на його території. 1967 йшла активна підготовка та створення умов. А 1968 р. випустили перші електронні пристрої, які зараз відомі як транзистор КТ315. Він став першим подібним масовим приладом. Маркування транзисторів КТ315 таке: спочатку у лівому верхньому куті плоскої сторони ставили букву, що позначала групу. Деколи вказували і дату виготовлення. Через кілька років у цьому ж корпусі розпочали випуск комплементарних транзисторів КТ361 з р-n-р-провідністю. Для відмінності у них посередині верхньої частини ставили позначку. За розробку транзистора КТ315 у 1973 році було присуджено Державну премію СРСР.

Технологія

Коли почав випускатися транзистор КТ315, одночасно було випробувано нову технологію - планарно-епітаксіальну. Вона має на увазі, що всі структури пристрою створюються на одній стороні. Які вимоги має транзистор КТ315? Параметри вихідного матеріалу повинні мати тип провідності як у колектора. А для початку здійснюється формування базової області, і лише потім – емітерної. Ця технологія була дуже важливою віхою розвитку радянської радіоелектронної промисловості, оскільки дозволила наблизитися до виготовлення інтегральних мікросхем без використання діелектричної підкладки. Поки не з'явився даний прилад, низькочастотні пристрої виготовлялися за сплавною методикою, а високочастотні згідно дифузійної.

Можна впевнено сказати, що параметри, якими володів завершений пристрій, були справжнім проривом свого часу. Чому так говорять про транзистор КТ315? Параметри – ось через що про нього так говорили! Так, якщо порівнювати його з сучасним йому німецьким високочастотним транзистором ГТ308, то він перевищує його за потужністю в 1,5 рази. Гранична частота більша ніж у 2 рази, а максимальний струм колектора взагалі у 3. І при цьому транзистор КТ315 був значно дешевшим. Він зміг замінити собою і низькочастотний МП37, адже за рівної потужності він мав більший коефіцієнт передачі струму бази. Також найкращі показники були і в максимальному імпульсному струмі, і КТ315 мав більшу температурну стабільність. Завдяки використанню кремнію цей транзистор міг десятки хвилин функціонувати на помірному струмі, навіть якщо довкола була температура плавлення припою. Правда, робота в таких умовах трохи погіршувала характеристики пристрою, але він не виходив незворотньо з ладу.

Застосування та комплементарні технології

Транзистор КТ315 знайшов широке застосування у схемах підсилювачів звукової, проміжної та високої частот. Важливим доповненням стала розробка комплементарних КТ361. У парі вони знайшли своє застосування у безтрансформаторних двотактних схемах.

Висновок

Свого часу цей прилад грав велику роль при побудові різних схем. Доходило навіть до того, що в магазинах для радіоаматорів часів Радянського Союзу вони продавалися не поштучно, а на вагу. Це одночасно і було показником популярності, і говорило про виробничі потужності, які були спрямовані на створення таких пристроїв. До того ж, вони настільки популярні, що в деяких схемах радіоаматори досі використовують дані транзистори. Не дивно, адже купити їх можна зараз. Хоча купувати не завжди обов'язково – часом достатньо розібрати техніку родом із СРСР.

Всім здорова! Так як я до кожної бочки затичка, не можу залишити без уваги таку важливу тему!

Витяг з Вікіпедії з моїми доповненнями:
- Тип кремнієвого біполярного транзистора, n-p-n провідності, що набув найширшого поширення в радянській радіоелектронній апаратурі.
У 1966 році А. І. Шокін (тоді міністр електронної промисловості СРСР) прочитав у журналі «Electronics» новину, про розробку в США транзистора, технологічно пристосованого під масове виробництво з використанням методу складання на безперервній стрічці на магнітних накопичувальних барабанах. Розробкою транзистора та обладнанням для виробництва зайнявся НДІ «Пульсар», Фрязінський напівпровідниковий завод та його ОКБ. Вже 1967 року (!) було виконано підготовка виробництва запуску масового виготовлення, а 1968 року (!) було випущено перші електронні пристрої з урахуванням КТ315.
Так КТ315 став першим масовим дешево-ширпотребним транзистором з кодовим маркуванням у мініатюрному пластмасовому корпусі КТ-13. На ньому в лівому верхньому кутку (а іноді й у правому вержньому) плоскої сторони ставилася буква, що позначає групу, нижче вказувалася дата виготовлення (у цировому вигляді або буквеному шифруванні). Також стояв символ підприємства-виробника.
Розробка КТ315 була відзначена 1973 р. Державною премією СРСР.
Через кілька років у такому ж корпусі КТ-13 стали випускати транзистор з p-n-p провідністю – КТ361. На відміну від КТ315 літера, що означає групу, ставилася посередині верхньої частини на плоскій стороні корпусу, також її укладали в «тирі».

Ось із моїх запасів:

Відкрити у новому вікні. Розмір 1600х1200 (для шпалер)

Також тішить їхнє кольорове розмаїття:

Починаючи з темно-жовтогарячого і закінчуючи чорними)))

Причому КТ315 маю аж 1994 року випуску.

У ілюстрації розташованої нижче я наводжу зображення самого транзистора (у разі зліва КТ315Г, справа КТ361Г) і умовне графічне відображення на принципових електронних схемах біполярних транзисторів обох провідностей.
Також зазначено цоколівку (вона у них однакова), а на графічному зображенні вказані висновки транзисторів - Дооллектор, База, Емітер.

Чи не на кожній платі вітчизняного виробництва (читай виробництва колишнього СРСР) використовувалися ці дешеві, малопотужні транзистори. Випаявши їх, тодішні радіоаматори успішно використовували цих триногих друзів у своїх виробах. Як показує практика, практично завжди вони були справними. Але все ж таки іноді трапляються і «вбиті» (один перехід пробитий/закорочений - електричний опір = 0, або знаходиться в обриві - електричний опір = нескінченності). Також рідко траплявся і заводський шлюб (цілком новий транзистор був «мертвий»), і маркування з розряду «наладчик автоматичних ліній на виробництві дядько Ваня перед запуском чергової партії транзисторів на «штампування» хряпнув для відновлення сил 100-150 гр. »:)

Просто неясно, чи ліворуч літера на транзисторі, чи справа. Зустрічалися транзистори з маркуванням із розряду «літера не зліва, ні праворуч, ні посередині».))))

Для боротьби з цими бідами на допомогу нам приходить будь-який справний пристрій для перевірки PN-переходів. З його допомогою ми можемо зробити найпростішу перевірку транзисторів. Як ми знаємо біполярні транзистори структури NPN і PNP можна умовно (і лише умовно! Жодні два окремих діоди НІКОЛИ не замінять біполярний транзистор!) уявити у вигляді одиночних PN-переходів. Повертаємося до ілюстрації розташованої вище і спостерігаємо в нижньому, лівому куті відображений виключно для перевірки приладом еквівалент NPN транзистора КТ315 у вигляді двох діодів VD1, VD2.
Оскільки КТ361 транзистор протилежної провідності – PNP, то у діодів у його еквівалентній схемі просто змінюється полярність (ілюстрація знизу, праворуч).
Перейдемо до практики – перевіримо на справність наш улюблений КТ315. Беремо мультиметр який під руку попадеться.
Один із моїх тестерів:

Вмикаємо. Тестер з автоматичним вибором меж вимірювань, але це нам не завадить:)
2 – встановлюємо перемикач у режим «продзвонювання», вимірювання напівпровідників, вимірювання електричного опору.
3 – кнопкою ручного вибору виставляємо режим «перевірки напівпровідників»
1 - ліворуч на РК-індикаторі висвічується умовне графічне відображення діода.
З малюнка вище видно, що з транзисторів NPN (яким і є наш КТ315) при вимірі База-Эмиттер і База-Коллектор вимірювальний прилад має показати наявність PN-переходу (звичайного кремнієвого діода у цьому стані). Якщо ж щуп тестера з негативним потенціалом (у всіх нормальних китайських тестерів він чорного кольору) приєднати до бази транзистора, а щуп з позитивним потенціалом (стандартно - чорного кольору) до емітера або колектора (що відповідає перевірці емітер-база та колектор-база) через умовні діоди потече мізерний струм (струм зворотного витоку, зазвичай мікроампери), який прилад не відобразить, тобто діоди будуть у закритому стані - їх опір дорівнює нескінченності. Пробуємо:

Перевірка база-емітер. Прилад показує практично стандартне зниження напруги на кремнієвому діоді = 0,7В; при практично стандартному струмі для мультиметрів.

Перевірка база-емітер. Знову ж таки згідно з малюнком перевірки транзисторів бачимо те саме падіння напруги = 0,7В на такому ж PN-переході.
Висновок - при прямому включенні обидва переходи є абсолютно справними.
Якби прилад показував падіння напруги близьке до нульового або в режимі «продзвонювання» тестер пищав - це сигналізувало б про коротке замикання в якомусь переході, що перевіряється. Якби прилад показував нескінченне падіння напруги або нескінченний опір - це сигналізувало б про обрив у цьому вимірюваному переході.
Ніжки емітер – колектор також не повинні «дзвонитися» в жодному з напрямків.

Тепер перевіримо справність PNP-транзистор, у разі КТ361.
З того ж вищенаведеного малюнка (праворуч, внизу) видно, що у транзисторів цієї провідності є PN-переходи емітер-база і колектор-база (як я говорив з точністю до структури NPN-транзистора - змінюються полярності напівпровідників).
Перевіряємо:

На PN-переході емітер-база – падіння 0,7В. Далі:

На колектор-база також 0,7В. Ні короткого замикання ні урвища в жодному з переходів немає. Діагноз – транзистор справний. Бігом паяти!

Вірш про КТ315(lurkmore.ru/КТ315)
Тебе створили для ВЧ,
Але паяли навіть в УНЧ.
Ти стежив за напругою в БП,
І сам харчувався від ІП.
Ти працював у ГВЧ та ГНЧ,
Тебе садили навіть до УПЧ.
Ти добрий генератор,
Підсилювач, комутатор.
Ти стоїш копійки,
Але прийшли на зміну тобі мікросхемки.

Щоб вирішити в існуючих умовах проблеми створення електронної промисловості практично з нуля та без участі світової кооперації, потрібно було продумати чітку програму з комплексним підходом, що базується на поєднанні глибокого розуміння наукових та технічних проблем електроніки з не менш глибоким знанням законів промислового виробництва. І така програма перетворення електронної промисловості СРСР на одну з найпотужніших галузей народного господарства була винесена, вистраждана та розроблена міністром та його сподвижниками. Внаслідок її виконання Радянський Союз за період з 1960 по 1990 р.р. вийшов на третє місце у світі з виробництва електронних компонентів (а за окремими видами і на друге, і навіть перше). Єдиною у світі країною, що мала можливість повністю забезпечувати всі сучасні види зброї власною елементною базою, був Радянський Союз.
До початку 90-х сумарний обсяг випуску транзисторів КТ315 на чотирьох заводах галузі становив близько 7 мільярдів штук, сотні мільйонів було поставлено на експорт, ліцензія на технологію виробництва та комплект обладнання були продані за кордон.

Ось і казка закінчилася, дякую за увагу,
Ваш:)

Любіть КТ-шки, і пам'ятайте приказку: "без КТ - ні туди і ні сюди".))))

Причин для такого поширення цього кілька. По-перше, його якість. Завдяки стрічково-конвеєрному способу, що був наприкінці шістдесятих революційним, собівартість виробництва вдалося знизити до мінімуму за дуже хороших технічних показників. Звідси і друга перевага - доступна ціна, що дозволяє використовувати транзистори КТ315 у масовій побутовій та виробничій електроніці, а також застосовувати для радіоаматорських пристроїв.

Пластиковий корпус не передбачав високої потужності, але дешевий.

Випускався транзистор КТ315 у двох варіантах, плоскому (помаранчевий або жовтий) та циліндричному (чорний).

Транзистор КТ315 - один із наймасовіших вітчизняних транзисторів, був запущений у виробництво в 1967 році. Спочатку випускався у пластиковому корпусі КТ-13.

КТ315 цоколівка

Якщо розташувати КТ315 маркуванням себе висновками вниз, то лівий висновок це емітер, центральний - колектор, а правий - база.

Після КТ315 став випускатися і в корпусі КТ-26 (закордонний аналог TO92), транзистори в цьому корпусі отримали додаткову ”1” в позначенні, наприклад КТ315Г1. Цоколівка КТ315 у цьому копусі така сама як і у КТ-13.

КТ315 параметри

КТ315 це малопотужний високочастотний кремнієвий біполярний транзистор з n-p-n структурою . Має комплементарний аналог КТ361 з p-n-p структурою.
Обидва ці транзистори призначалися до роботи у схемах підсилювачів як звуковий і проміжної і високої частоти.
Але завдяки тому, що характеристики цього транзистора були проривними, а вартість нижче за існуючі германієві аналоги КТ315 знайшов найширше застосування у вітчизняній електронній техніці.

Гранична частота коефіцієнта передачі струму у схемі із загальним емітером ( f гр.) – 250 МГц.

Максимально допустима постійна потужність колектора, що розсіюється, без тепловідведення ( P до max)

Для КТ315А, Б, В, Р, Д, Е - 0,15 Вт;
Для КТ315Ж, І, Н, Р - 0,1 Вт.

Максимально допустимий постійний струм колектора ( I до max)

Для КТ315А, Б, В, Р, Д, Е, Н, Р - 100 мА;
Для КТ315Ж, І – 50 мА.

Постійна напруга база-емітер - 6 В.

Основні електричні параметри КТ315, які залежать від літери, наведені в таблиці.

U кбо- Максимально допустима напруга колектор-база,
U кео- Максимально допустима напруга колектор-емітер,
h 21е- Статичний коефіцієнт передачі струму біполярного транзистора у схемі із загальним емітером,
I кбо- Зворотний струм колектора.

Наймен.	U кбо і U кео,	h 21е	I кбо, мкА
КТ315А	25	30-120	≤0,5
КТ315Б	20	50-350	≤0,5
КТ315В	40	30-120	≤0,5
КТ315Г	35	50-350	≤0,5
КТ315Г1	35	100-350	≤0,5
КТ315Д	40	20-90	≤0,6
КТ315Е	35	50-350	≤0,6
КТ315Ж	20	30-250	≤0,01
КТ315І	60	≥30	≤0,1
КТ315Н	20	50-350	≤0,6
КТ315Р	35	150-350	≤0,5

Маркування транзисторів КТ315 та КТ361

Саме з КТ315 почалося кодоване позначення вітчизняних транзисторів. Мені траплялися КТ315 з повним маркуванням, але набагато частіше з єдиною літерою з назви зміщеною трохи ліворуч від центру, праворуч від літери був логотип заводу, який випустив транзистор. Транзистори КТ361 теж маркувалися однією літерою, але літера розташовувалася по центру і ліворуч і праворуч від неї були тире.

І звичайно у КТ315 є зарубіжні аналоги, наприклад: 2N2476, BSX66, TP3961, 40218.

КТ315 цоколівка, КТ315 параметри, КТ315 характеристики: 20 коментарів

Greg
Так, легендарна руда пара! Спроба, заповідана легендарною особистістю – а ми, підемо іншим шляхом. Не вдалося, а шкода. Це ж треба було додуматися, такі незручні висновки зробити, що дозволяють вигин тільки в одному напрямі: це, напевно, не інженерне, а політичне рішення). антуражний, стильний, брутальний та незабутній! Я б дав йому й Оскара та Нобелівку одразу.
Після зміни прикиду - звичайна, посередня деталь, у ряді тисяч схожих (
ЗИ Корпус змінився тому, що виробниче обладнання згодом замінили на імпортне, а їх верстати на таку цукерку не розраховані.
1. adminАвтор запису
  Не в тому була біда, що висновки формувалися тільки в одній площині (наприклад у корпусах TO-247 висновки теж плоскі), а в тому, що вони були широкі (ширина 0,95 мм, товщина 0,2 мм) і розташовані близько (зазор 1 55 мм). Розводити плату було дуже незручно – доріжку між висновками не пропустиш, та й свердлити під КТ-13 треба було свердлом 1,2 мм. Під інші компоненти вистачало 1 мм або 0,8 мм.
  КТ315 був першим вітчизняним транзистором виготовленим за епітаксійно-планарною технологією, потім, через пару десятків років він уже став посереднім серед молодших побратимів. І звичайно в 80-х замість КТ315/КТ361 зручніше було поставити КТ208/КТ209, КТ502/КТ503 або КТ3102/КТ3107 залежно від того, які завдання перед транзистором стояли.
  І я сумніваюся, що корпус КТ-13 був вітчизняним винаходом, начебто існували японські деталі в таких корпусах, тому швидше за все невдало перейняли чужий досвід.
Greg
Схід справа тонка ... У середині минулого століття йшла запекла боротьба наддержав за перерозподіл сфер впливу. Хтось, Японії – бомби, а хтось – технології. А хитрі японці приймали будь-яку допомогу і хапали все, що давали... Потім, природно, вибрали найкраще, а отже, технологічне. Вони, люди нетворчі, перемогли - Техно-Логічність) СРСР їм не тільки перший радіозавод побудував, а й перший автозавод, наприклад. Надалі, автомобілі, що випускаються, стали відрізнятися від наших не менше радіодеталей. Питання пріоритетності тут спірне, через міжнародної дружби та спільності тодішніх розробок.
1. Вова
  СРСР за кордон продавав ліцензії на виробництво КТ315, мабуть і японці теж купили таку. А до Польщі так взагалі цілу лінію з виробництва КТ315 із Воронежа віддали. Мабуть за програмою підтримки країн соціального табору.
Chupacabra
За популярністю з КТ315 може зрівнятися хіба що МП42Б.

Мені не траплялися КТ315 із дивними літерами, виявляється це були спеціалізовані транзистори:
- КТ315І були призначені для ланцюгів комутації сегментів вакуумних люмінесцентних індикаторів;
- КТ315Н були призначені для застосування у кольоровому телебаченні;
- КТ315Р були призначені для відеомагнітофонів "Електроніка-ВМ".
Олександр
Та не зручні висновки, але інших транзисторів тоді не було. Останнім часом, років 20, ці транзистори доступні, безкоштовно можна дістати. Згорить не шкода, Для початківців добре підходить. На макетки добре припаювати.
Root
Так нормальні у них корпуси. Плоскі, можна десятками в один ряд ставити на мінімальній відстані один від одного, як транзистори ТО-92 ніяк не поставиш. Актуально, коли їх багато на платі, наприклад, ключі для багатосегментних ВЛІ. Стрічкові висновки (данина технологічності виробництва транзисторів) теж особливих незручностей не створюють, не бачу гострої необхідності відгинати висновки в різні боки. Не гнем же ми висновки мікросхем і трасування це анітрохи не заважає.

Ніколи не замислювався над шириною висновків КТ315. Завжди свердлив все в основному свердлом 0,8 мм і 315_е (яких у мене півлітрова банка, куплена з нагоди на ринку) завжди нормально вставали на свої місця, без будь-якого насильства з мого боку 🙂 .
1. Root
  З цікавого. Читав на якомусь сайті про виготовлення вихідного каскаду потужного УЗЧ на десятках запаралелених КТ315 та КТ361. Транзистори в одну лінію бічними поверхнями один до одного і затискаються між алюмінієвими пластинами з термопастою. Характеристик підсилювача не пам'ятаю, і автор цієї конструкції на високу якість звуку не розраховував роблячи УМЗЧ на 315 як технічний курйоз.

Віктор

"Солодка парочка" - 315,361. Стільки всього на них перепаяно. Начебто спеціально для макеток зроблені були своїми плоскими висновками. Мені досі тепло стає, коли їх до рук беру. Виріс-то за часів дефіциту. Лежать у коробочці. Чекають, коли онук підросте.

mobilandser

Дуже багато в старій схемотехніці використовувалися саме транзистори серій 315 і 361. До речі і сам на них багато всього паяв, але розташування самих висновків дуже не зручно. Я б поміняв колектор і емітером чи базою. тоді розведення плат було б набагато компактнішим.

Greg
Так на те він і рудий, щоб все було не так, як у більшості) Там і з технологією такого розташування висновків виникають деякі складності, Е_Б_К виготовити простіше, ніж Е_К_Б, але на це пішли чомусь. І стрічковий контакт невиправдано широкий, що потягнуло за собою невиправдане збільшення корпусу… Перший млинець? Наша відповідь Чемберлену? Прогнозування розвитку, що не відбулося? Помилкові передумови? Історія замовчує, а так хотілося б на патентні та авторські документи поглянути, але й з цим таємниця.

Наскільки пам'ятаю в магнітофонах на зміну КТ315-КТ361 прийшли КТ208-КТ209, КТ502-КТ503 потім КТ3102-КТ3107. Якщо є якісь з цих транзисторів можна спробувати підібрати за параметрами, звичайно результат не гарантований, та й корпуси у них інші.
Якщо не спортивного інтересу, щоб усе було як задумував розробник колонки, тим більше в підсилювачі всі транзистори погоріли, то я в колонку вставив би якусь сучасну хустку на операційних підсилювачах.

Митя

На що можна замінити ці транзи? На які транзи саме

Kemran

Всім привіт у мене проблема з цими транзими їх у нас не купиш їх немає як а в запасі у мене немає теж були але я їх витратив питання мій такий а на які транзи можна поміняти 315Бі 361б

Greg
Адмін уже писав, вище, але повторю, докладніше. Найбільш відповідна, за більшістю параметрів, заміна пари КТ315/КТ361 - це КТ502/КТ503. Підійде в більшості схематичних рішень, навіть без перерахунку ланцюгів, що задають і коригують. Якщо схематичний упор на ключову, дискретну обробку сигналів, можна використовувати КТ3102/КТ3107, що найчастіше навіть краще. Цілком підходять і КТ208/КТ209. Але, якщо використовувати в аналогових схемах посилення, то ланцюги, що задають, краще підкоригувати.

Володимир

У підсилювачах звуку можна ставити МП41А і пару МП37А замість КТ361 і відповідно КТ315. Чому з літерою А, напруга у МП37А 30 Вольт, в інших літер нижче 20 Вольт. МП41 можна замінити на МП42, МП25, МП26, у двох останніх напруга 25 і 40 Вольт мінімальна, тому треба дивитися напругу джерела живлення. Зазвичай 12 або 25 вольт у підсилювачах старих моделей.

У вихідний день вирішив зібрати відеопідсилювач для своєї ігрової приставки Dendy для покращення якості відео зображення. Схема досить проста, і налічує не більше десятка радіодеталей. Зібрана вона, на дуже поширених радянських транзисторах, візуально дуже схожих, читаємо корисну статтю, як відрізнити транзистор кт315 від кт361?

Нема про транзисторів кт315 і кт361

Одні з найпоширеніших високочастотних транзисторів, що виготовляються з кремнію, запаси якого, на нашій планеті, дуже вражають. КТ 315 має провідність n-p-n, кт 361 має протилежну. Їх поєднує тип корпусу, кт 13, і дуже часто ці біполярні транзистори використовуються в парі. Набули величезного поширення у вітчизняній електроніці, у схемах посилення та перетворення.

Як відрізнити кт315 від кт361

Як правило, дані транзистори випускаються у пластиковому корпусі, кількох колірних варіантах, жовті, червоні, коричневі. Для їх звіряння, розташовуємо їх маркуванням до себе. Дивимося на маркування, точніше її розташування, на корпусі транзистора.

Для визначення транзистора кт315, на його корпусі буде надрукована буква, розміщуватиметься вона, в лівій частині зверху. У кт361 буква буде розташована строго по центру.
Цоколівка у них буде однакова, у цій послідовності, емітер, колектор, база.

Схожі статті